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TSMC在半导体行业的地位是毋庸置疑的。但是它们有多强大，大多数读者可能会有非常片面的理解。让我们从他们最新的2019年财务报告中一窥TSMC的真正实力。
1.TSMC在市场上的地位。
公司财务报告显示，太极公司在先进制程技术、特殊制程技术和先进封装技术的开发上持续领先全球集成电路制造服务领域，2019年市场份额为52%。台资公司总收入按地区划分(主要以客户运营总部所在地为准)，来自北美的收入占台资公司总收入的60%，不含日本和中国大陆的亚太市场占9%，中国大陆市场占20%，欧洲、中东和非洲市场占6%，日本市场占5%。按产品来看，平台，智能手机占总营收的49%，高性能计算占30%，物联网占8%，汽车电子占4%。此外，消费电子产品占5%，其他产品占4%。
仅2019年，太极公司就用272种工艺技术为499家客户生产了不同的产品。
第二，TSMC的工厂布局和员工数量；
太极公司及其子公司拥有和管理的年生产能力超过1200万片12英寸晶圆。台基在台湾省有三个12英寸晶圆厂()，四个8英寸晶圆厂和一个6英寸晶圆厂，并有一个100%拥有的海外子公司，TSMC(南京)有限公司的12英寸晶圆厂，以及两个100%拥有的海外子公司，美国子公司和TSMC(中国)有限公司的8英寸晶圆厂，以获得产能支持。
公司在北美、欧洲、日本、中国大陆和韩国设有子公司或办事处，为全球客户提供实时业务和技术服务。截至2019年底，太极公司及其子公司员工总数超过。
第三，TSMC的技术多样性；
当我们谈论TSMC时，我们经常强调它在先进技术方面的实力，但这实际上只是冰山一角。
先看逻辑处理技术：
5 nm finfet工艺(-，)(N5)技术是太极公司引进的最新技术。这项全球领先的技术在2019年获得了包括移动通信和高性能计算产品在内的多项客户产品，预计将于2020年上半年开始量产。
与7nm FinFET(N7)技术相比，N5技术的速度提高了15%左右，或者功耗降低了30%左右。此外，自规划以来，N5技术为移动通信和高性能计算应用提供了优化的工艺选择。
5nm FinFET功率版(N5P)技术是N5技术的性能增强版，采用相同的设计标准。相比N7技术，N5P技术的速度提升了20%左右，或者说功耗降低了40%左右。N5P技术的设计套件预计在2019年第二季度N5技术下一阶段更新时推出。
6nm fin fet(N6)技术于2019年成功完成产品良率验证。由于N6技术采用了ExtremeUltraviolet，EUV)光刻技术，可以减少掩膜数量，与N7技术相比，N6技术可以获得更高的良率，缩短生产周期。此外，与N7工艺相比，N6工艺的逻辑晶体管密度提高了18%左右，并且由于掩模总数的减少，成品率更高，可以帮助客户在一个晶圆上获得更多可用的管芯。
此外，N6技术的设计规则与N7技术兼容，可以大大缩短客户产品和市场上时间的设计周期。N6技术于2020年一季度开始试生产，预计2020年底前进入量产。
N7技术是太极公司量产最快的技术之一，同时也为移动计算应用提供了优化的工艺和多件的高性能运行。截至2019年底，已收到100多张客户产品幻灯片，涵盖广泛的应用，包括移动设备、游戏机、人工智能、中央处理器、图形处理器和网络连接设备。此外，7纳米FinFET功率版(N7)技术于2019年开始量产，帮助客户大批量进入市场。N7技术是全球集成电路制造服务领域首个将极紫外光应用于商业运营的技术。这项技术的成功不仅证明了太极公司在量产能力上领先全球EUV技术，也为6 nm等更先进的技术打下了良好的基础。
12nm FinFET compact plus (12ffc)技术和16nm FinFET compact plus(16 nmfin fet compact plus，16FFC)技术是太极公司继16nm fin fet功能强大版(16FF)技术、16nm FinFET compact (16ffc)技术和12nm FinFET compact (12ffc)技术之后推出的最新16/12nm系列技术，在集成电路制造服务领域拥有16/14nm技术。
16FF技术针对的是高性能产品，包括移动设备、服务器、图形芯片、密码货币等产品。12FFC、12FFC、16FFC和16FFC可以支持客户的主流和超低功耗(Ultra-LowPower，ULP)产品，包括中低端手机、消费电子、数字电视、物联网等。目前共有12FFC、12FFC、16FFC、16FFC、16FF共收到客户产品500多件，大部分都是第一次投影后成功生产。
22nm超低泄漏(ULL) (22ULL)技术于2019年进入量产，可支持物联网及可穿戴设备相关产品的应用。同时，该技术的低工作电压(LowOperatingVoltage，LowVdd)技术也在20。
19年准备就绪。与40纳米超低功耗（Ultra-LowPower,ULP）（40ULP）及55纳米ULP制程相较，22ULL技术提供新的ULL元件、ULL静态随机存取记忆体（StaticRandomAccessMemory,SRAM），和低操作电压技术，能够大幅降低功耗。●22纳米ULP（22ULP）技术发展系根基于台积公司领先业界的28纳米技术，并于2019开始量产。与28纳米高效能精简型强效版（28nmHighPerformanceCompactPlus,28HPC+）技术相较，22ULP技术拥有芯片面积缩小10%，及效能提升10%或功耗降低20%的优势，以满足影像处理器、数位电视、机上盒、智能型手机及消费性产品等多种应用。
●28HPC+技术截至2019年底，总计接获超过300个客户产品投片。28HPC+技术进一步提升主流智能型手机、数位电视、储存、音效处理及系统单芯片等产品应用的效能或降低其功耗。与28纳米高效能精简型（HighPerformanceCompact）（28HPC）技术相较，28HPC+技术能够进一步提升效能约15%或降低漏电约50%。
●40ULP技术截至2019年底共接获超过100个客户产品投片。此技术支援多种物联网及穿戴式装置相关产品应用，包含无线网络连接产品、穿戴式应用处理器及微控制器（MicroControlUnit,MCU）（SensorHub）等。此外，台积公司采用领先的40ULPLowVdd技术，为物联网产品及穿戴式联网产品提供低功耗的解决方案。新的强化版类比元件顺利开发中，将进一步强化40ULP平台，支援客户未来更广泛的类比电路设计。
●55纳米ULP（55ULP）技术，截至2019年底共接获超过70个客户产品投片。相较于55纳米低功耗（55LP）技术，55ULP技术可大幅延长物联网相关产品的电池使用寿命。此外，55ULP亦整合了射频制程与嵌入式快闪存储器制程，能让客户的系统单芯片设计更为简单。
再看特殊制程技术方面；
●16FF+技术自2017年起已为客户生产汽车产业应用产品。16FFC技术基础硅智财（FoundationIP）已通过车用电子协会（AutomotiveElectronicCouncil,AEC）AEC-Q100Grade-1验证，并且获得功能性安全标准ISO26262ASIL-B认证。
此外，也导入TSMC9000A质量管理系统来规范车用硅智财，透过和第三方硅智财供应商合作来建立车用设计生态环境。台积公司持续开发更多7纳米车用基础硅智财，并于2020年第一季通过AEC-Q100Grade-2验证。
●16FFC射频（RadioFrequency,RF）（16FFCRF）技术于2018年上半年领先业界为客户量产第五代行动通信技术（5G）RF芯片。此一技术进一步支援新一代无线区域网络802.11ax（WirelessLocalAreaNetwork,WLAN802.11ax）、毫米波（MillimeterWave,mmWave），以及5G智能型手机等无线连接应用。台积公司不断精进16FFCRF技术，不但于2019年领先全球推出首个截止频率（Cut-offFrequency,fT）超过300吉赫兹（GHz）的FinFET元件，亦领先全球完成震荡频率（MaximumClockFrequency,fmax）超过400GHz的最佳FinFET元件的开发。此一高性能且更具成本效益的技术也将被采用来满足更多的应用，例如雷达、扩增实境／虚拟实境等，以降低芯片功耗及芯片尺寸并支援SoC设计。
●22ULLRF技术除了支援磁性随机存取存储器（MagneticRandomAccessMemory,MRAM）、可变电阻式存储器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM），及高截止频率（Cut-offFrequency,fT）元件之外，于2019年新增支援无线区域网络功率放大器（WirelessLANPowerAmplifier）元件与极低漏电（Ultra-LowLeakage）元件，进一步支援5G毫米波行动无线通讯和物联网应用的芯片开发。
●22ULL嵌入式电阻式随机存取存储器（ResistiveRandomAccessMemory,RRAM）技术，于2019年开始试产，并预计于2020年完成硅智财（IP）可靠性认证。此一技术可支援各种不同应用，例如物联网微控制器（IoTMCU）及人工智能（ArtificialIntelligence,AI）存储器元件等。
●22ULL嵌入式磁性随机存取存储器（MagneticRandomAccessMemory,MRAM）技术硅智财预计于2020年度完成可靠性认证。此外，16纳米MRAM技术也正在开发，且进展良好。MRAM技术为包括AEC-Q100Grade-1产品应用在内的高可靠性MCU产品的eFlash替代方案，提供了一个极具竞争力的转换途径。
●28HPC+RF于2018年领先集成电路制造服务领域提供首个RF制程设计套件（ProcessDesignKit,PDK），支援110吉赫兹（GHz）毫米波和150℃车用规格等元件，以支援5G毫米波射频及车用雷达产品的设计。2019年，28HPC+RF技术新增支援极低漏电（Ultra-LowLeakage）元件及嵌入式快闪存储器（EmbeddedFlash）。客户5G毫米波射频及车用雷达产品皆已进入量产。
●28纳米ULL嵌入式快闪存储器制程（eFlash）技术，已于2019年通过AEC-Q100Grade-1可靠性认证。台积公司持续强化此一技术，并预计于2020年通过更严格的AEC-Q100Grade-0要求。
●40ULP嵌入式快闪存储器制程（eFlash）技术截至2019年底，总计接获超过40个客户产品投片，其中包括微控制器（MCU）、无线通讯微控制器（WirelessMCU），和安全元件（SecurityElement）。此外，此一技术也提供低操作电压选择，为物联网设备和可穿戴连接设备提供低能耗的解决方案。
●40ULP嵌入式RRAM技术的IP于2019年完成可靠性认证。此一技术的设计套件和硅智财完全与互补式金属氧化物半导体（ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS）逻辑制程兼容，其相关应用包括无线通讯微控制器（WirelessMCU）、物联网装置，以及穿戴式装置。
●持续强化40ULP类比技术平台，包括降低噪声、改善匹配（Mismatch），及提供低漏电元件等。完整的设计技术文件则预计于2020年完成。此一强化的40ULP类比技术平台与数位逻辑制程完全兼容，并可以同时支援高精确类比效能、低耗能的类比设计。
●十二吋0.13微米双载子-互补式金氧半导体-扩散金属氧化半导体强化版（Bipolar-CMOS-DMOSPlus,BCDPlus）技术于2017年开始生产，晶圆出货于2018年及2019年皆显著成长。相较于前一世代0.13微米双载子-互补式金氧半导体-扩散金属氧化半导体强化版（Bipolar-CMOS-DMOS,BCD）技术，此一新制程技术持续提供更优异的效能及功能强化，以满足高阶智能型手机的电源管理应用。
●0.18微米第三代BCD制程技术于2018年完成AEC-Q100Grade-1验证，并进一步于2019年完成AEC-Q100Grade-0验证。相较于第二代BCD制程技术，此一制程技术提供更优异的成本竞争优势。
●持续强化电源硅基板氮化镓（GalliumNitrideonSilicon）技术，在650伏特和100伏特两种平台上，将氮化镓功率开关与驱动器整合，并持续改善硅基板氮化镓技术的可靠度，以支援客户高功率密度及高效率解决方案的芯片设计，满足多元的产品应用。650伏特和100伏特氮化镓集成电路技术平台皆预计于2020年开发完成。
●硅基板有机发光二极体（Organiclight-emittingdiodeonsilicon,OLED-on-Silicon）面板技术与传统玻璃基板有机发光二极管面板技术相较，能够增加像素点密度5到10倍，以支援对高质量扩增实境（AugmentedReality）/虚拟实境（VirtualReality）眼镜日益增加的需求。台积公司与客户共同合作，成功同时在八吋及十二吋高压技术上展示此一技术的可行性，为扩增实境/虚拟实境供应商在工业、医疗，及消费电子多种产品应用的下一世代眼镜开发上，奠定精实的基础。
●有鉴于许多安防监控、汽车、家用，和行动通讯应用已迅速导入机器视觉（MachineVision）技术，台积公司提供下一世代全区域曝光式（GlobalShutter）互补式金氧半导体影像传感器（CMOSImageSensor,CIS）与强化版近红外光CIS技术，使得机器视觉系统更安全、更小巧，及更省电。
●台积公司成功采用晶圆级封装（CSP）技术协助客户推出全球尺寸最小的互补金属氧化物半导体微机电（Micro-electromechanicalSystems）单芯片加速度计（Accelerometer），其尺寸可小于1平方厘米。此一尺寸小巧的优势，能够协助许多物联网与穿戴装置减少体积与重量。
先进封装技术也是台积电必不可少的一方面；
●针对先进行动装置的应用，成功开发能够整合7纳米系统单芯片和动态随机存取存储器（DRAM）的整合型扇出层叠封装技术（IntegratedFan-OutPackageon-Package,InFO-PoP），并于2019年协助数个客户产品大量进入市场。
●针对高效能运算的应用，能够在尺寸达二倍光罩大小的硅基板（SiliconInterposer）上异质整合多颗7纳米系统单芯片与第二代高频宽存储器（HighBandwidthMemory2,HBM2）的CoWoS®技术，于2019年第三季成功通过验证。
●除了CoWoS®技术之外，能够整合多颗7纳米单芯片的整合型扇出暨封装基板（InFOonSubstrate,InFO_oS）技术于2019年开始量产。
●针对先进行动装置及高效能运算的应用，用于5纳米晶圆覆晶封装的细小间距阵列铜凸块（Cubump）技术已于2019年成功通过验证。
●针对物联网及高阶智能型手机产品应用，成功开发适用于物联网应用的16纳米制程的晶圆级封装（WaferLevelChipScalePackaging,WLCSP）技术，并于2019年协助客户产品大量进入市场。
四、台积电的经营策略；
台积公司深信，差异化的竞争优势将使台积公司更能把握未来集成电路制造服务领域的成长机会。因应智能型手机、高效能运算、物联网及车用电子四个快速成长的主要市场，及客户需求从以制程技术为中心转变为以产品应用为
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